4 W (pat) Eu 70/05

BPatG 253 08.05 BUNDESPATENTGERICHT IM NAMEN DES VOLKES (Aktenzeichen) 4 Ni 70/05 (EU) URTEIL Verkündet am 10. Juni 2008 … In der Patentnichtigkeitssache … - 2 - … betreffend das europäische Patent EP 0 674 769 (DE 593 02 536) hat der 4. Senat (Nichtigkeitssenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 10. Juni 2008 durch die Vorsitzende Richterin Winkler und die Richter Voit, Dipl.-Phys. Dr. Morawek, Dipl.-Ing. Bernhart und Dipl.-Phys. Dr. Müller für Recht erkannt: 1.) Die Klage wird abgewiesen. 2.) Die Kosten des Rechtsstreits tragen die Klägerinnen je zur Hälfte. 3.) Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung in Höhe von 120 % des zu vollstreckenden Betrages vorläufig vollstreckbar. T a t b e s t a n d Die Beklagte ist eingetragene Inhaberin des auch mit Wirkung für das Hoheitsge- biet der Bundesrepublik Deutschland erteilten europäischen Patents EP 0 674 769 (Streitpatent), das am 16. Dezember 1993 unter Inanspruchnahme der Priorität der deutschen Patentanmeldung 42 43 358 vom 21. Dezember 1992 angemeldet worden ist. Das Streitpatent ist in der Verfahrenssprache Deutsch veröffentlicht und wird beim Deutschen Patent- und Markenamt unter der Nr. 593 02 536 ge- führt. Es betrifft einen Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromag- neten sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung und umfasst 21 Ansprüche, von denen Anspruch 1 sowie die Ansprüche 3 bis 6, 8 bis 12, 14, 18 und 19, soweit sie - 3 - unmittelbar oder mittelbar auf Anspruch 1 rückbezogen, angegriffen sind. An- spruch 1 lautet ohne Bezugszeichen wie folgt: Magnetowiderstands-Sensor mit a) einem Schichtsystem, das a1) wenigstens eine Messschicht, die in der Schichtebene eine Magnetisierung aufweist, die wenigstens in einer Richtung reversibel von einem anliegenden Magnet- feld abhängt und bei fehlendem Magnetfeld einer vor- gegebenen Grundzustandsmagnetisierung entspricht, und a2) auf wenigstens einer Seite der Messschicht eine Bias- schicht mit einer im Messbereich des Magnetfeldes wenigstens annähernd konstanten Magnetisierung in der Schichtebene enthält, wobei a3) die Biasschicht von der Messschicht durch eine Zwi- schenschicht wenigstens annähernd magnetisch aus- tauschentkoppelt ist und mit b) Messkontakten an dem Schichtsystem zum Erfassen eines Wi- derstandssignals, das ein Maß für das anliegende Magnetfeld ist, dadurch gekennzeichnet, dass c) an wenigstens eine Biasschicht über eine Kopplungsschicht ei- ne Magnetschicht antiferromagnetisch angekoppelt ist. Wegen der weiter angegriffenen Patentansprüche 3 bis 6, 8 bis 12, 14, 18 und 19, soweit sie unmittelbar oder mittelbar auf Anspruch 1 rückbezogen sind, wird auf die Streitpatentschrift EP 0 674 769 B1 Bezug genommen. Die Klägerinnen behaupten, der Gegenstand des Streitpatents sei weder neu, noch beruhe er auf erfinderischer Tätigkeit. Zur Begründung tragen sie vor, im - 4 - Stand der Technik seien zum Prioritätszeitpunkt Magnetowiderstandssysteme mit den Merkmalen des Patentgegenstandes bereits bekannt gewesen. Hierzu beru- fen sie sich auf folgende Druckschriften und Dokumente: K4 S.S.P. Parkin, D. Mauri: "Spin engineering: Direct determina- tion of the Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida far-field range function in ruthenium", in: Physical Review B, Vol. 44, Nr. 13, S. 7131-7134, 1. Oktober 1991 K5 US 5 159 513 A K6 EP 0 346 817 A2 K7 B. Dieny, V.S. Speriosu, S.S.P. Parkin, B.A. Gurney, D.R. Wilhoit, D. Mauri: "Giant magnetoresistance in soft fer- romagnetic multilayers", in: Physical Review B, Vol. 43, Nr. 1, S. 1297-1300, 1. Januar 1991 K8 EP 0 490 608 A2 K9 M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff: "Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices", in: Physical Review Letters, Vol. 61, Nr. 21, S. 2472-2475, 21. November 1988 K10 R. M. Bozorth, "Ferromagnetism", S. 162, 163, 168, 169 K11 Asakura Shoten Co. Ltd., "Jiseitai Handbuch (Handbuch der magnetischen Materialien)", S. 1142, 1143; und englische Übersetzung davon, veröffentlicht am 30. Juni 1975 K12 S. Chikazumi: "Kyojiseitai no Butsuri Vol. II – Jikitokusei to Oyo – (Physik des Ferromagnetismus Bd. II – Magnetische Eigenschaften und konstruktive Anwendung – ), S. 250-251 und englische Übersetzung davon, veröffentlicht am 25. März 1984 K13 JP 64-19512 A einschließlich englischer Übersetzung K14 US 4 734 644 A K15 JP 63-79217 A - 5 - K16 Interview mit S. Parkin: "Magnetic Multilayers May Dispel Da- ta Density Dilemma", in: "Science Watch", Oktober 1992 K17 J. Mathon: "Exchange interactions and giant magnetoresis- tance in magnetic multilayers", in: Contemporary Physics, Vol. 32, Nr. 3, S. 143-156, 1991 K18 S.S.P. Parkin, N. More, K.P. Roche: "Oscillations in Ex- change Coupling and Magnetoresistance in Metallic Super- lattice Structures: Co/Ru, Co/Cr and Fe/Cr", in: Physical Re- view Letters, Vol. 64, Nr. 19, S. 2304-2307, 7. Mai 1990 K19 A. Chaiken, P. Lubitz, J.J. Krebs, G.A. Prinz, M.Z. Harford: "Spin-valve magnetoresistance of uncoupled Fe-Cu-Co sandwiches", in: Journal of Applied Physics, Vol. 70, Nr. 10, S. 5864-5866, 15. November 1991 K21 S.S.P. Parkin, R. Bhadra, K.P. Roche: "Oscillatory Magnetic Exchange Coupling through Thin Copper Layers", in: Physi- cal Review Letters, Vol. 66, Nr. 16, S. 2152-2155, 22. April 1991. Die Klägerinnen beantragen, das europäische Patent EP 0 674 769 mit Wirkung für das Ho- heitsgebiet der Bundesrepublik Deutschland im Umfang des An- spruchs 1 sowie im Umfang der Ansprüche 3 bis 6, 8 bis 12, 14 und 18 bis 19, soweit diese unmittelbar oder mittelbar auf An- spruch 1 rückbezogen sind, für nichtig zu erklären. Die Beklagte beantragt, die Klage abzuweisen. Sie widerspricht dem klägerischen Vorbringen und hält das Streitpatent für patent- fähig. - 6 - E n t s c h e i d u n g s g r ü n d e I. Die zulässige Klage ist nicht begründet im Sinne der Art. II § 6 Abs. 1 Nr. 1 IntPatÜG, Art. 138 Abs. 1 Buchst. a), Art. 54, 56 EPÜ. Der Gegenstand des Streit- patents ist neu und aus dem aufgrund der mündlichen Verhandlung festgestellten Sachverhalt ergeben sich keine zureichenden tatsächlichen Anhaltspunkte dafür, dass der Stand der Technik dem Fachmann den Gegenstand des Streitpatents nahe gelegt hat. Dies geht zu Lasten der Klägerinnen. Die – neben dem Patentanspruch 1 - angegriffenen und abhängigen Ansprüche 3 bis 6, 8 bis 12, 14 und 18 bis 19 werden durch ihre Rückbeziehung auf Anspruch 1 mit getragen, ohne dass es weiterer Feststellungen bedürfte (vgl. Busse/Keuken- schrijver, PatG, 6. Aufl., § 84 Rdnr. 42; Benkard/Rogge, PatG, 10. Aufl., § 22 Rdnr. 23). II. 1. Das Streitpatent betrifft einen Magnetowiderstandssensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung. In ferromagnetischen Übergangsmetallen (Ni, Fe, Co) und in Legierungen mit diesen Metallen ist der elektrische Widerstand abhängig von der Größe und Richtung eines das Material durchdringenden Magnetfeldes, was als anisotroper Magnetowiderstand (AMR) oder anisotroper magnetoresistiver Effekt bezeichnet wird. Für magnetoresistive Sensoren wird im Allgemeinen eine dünne Schicht aus einem solchen magnetoresistiven Material mit einer Magnetisierung in der Schichtebene verwendet. Die Widerstandsänderung bei Drehung der Magneti- sierung bezüglich der Stromrichtung kann einige Prozent des normalen isotropen Widerstands betragen (Sp. 1 Z. 5-21). Gleichzeitig sind Mehrschichtsysteme mit mehreren, zu einem Stapel angeordneten und durch metallische Zwischenschich- - 7 - ten voneinander getrennten ferromagnetischen Schichten bekannt, in denen zu- sätzlich zum anisotropen magnetoresistiven Effekt in den einzelnen Schichten der so genannte Giant-magnetoresistive Effekt oder Giant-Magnetowiderstand (Giant- MR) auftritt, der als isotroper Effekt mit Werten von bis zu 70 % des normalen iso- tropen Widerstands erheblich größer sein kann als der anisotrope magnetoresisti- ve Effekt (Sp. 1, Z. 22-40). Von solchen Giant-MR-Mehrschichtensystemen sind zwei Grundtypen und aus der EP 0 346 817 A ist ein Magnetowiderstandssensor bekannt (Sp. 1, Z. 41- Sp. 3, Z. 32). 2. Als Aufgabe der Erfindung beschreibt die Streitpatentschrift die Schaffung eines Magnetowiderstandssensors mit einem Schichtsystem aus wenigstens einer Messschicht und wenigstens einer durch eine Zwischenschicht von der Mess- schicht austauschentkoppelten Biasschicht, der eine eindeutige Kennlinie aufweist und bei dem Störfelder der Biasschicht in der Messschicht weitgehend unterdrückt werden. Insbesondere soll ein linearer Magnetwiderstands-Sensor angegeben werden sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Sensors (Sp. 3, Z. 33- 43). 3. Zur Lösung dieser Aufgabe weist der Magnetwiderstands-Sensor gemäß dem verteidigten Patentanspruch 1 aus der Patentschrift folgende Merkmale auf, ge- gliedert gemäß der Anlage K3 der Klägerin: M1 Magnetowiderstands-Sensor M2 Der Magnetowiderstands-Sensor besteht aus a) einem Schichtsystem und b) Meßkontakten (11A und 11B). - 8 - M3 Das Schichtsystem enthält a) wenigstens eine Meßschicht (2) und b) auf wenigstens einer Seite der Meßschicht (2) eine Bias- schicht (6). M4 Die Meßschicht weist in der Schichtebene eine Magnetisie- rung (MM) auf, die a) wenigstens in einer Richtung reversibel von einem anlie- genden Magnetfeld (H) abhängt und b) bei fehlendem Magnetfeld (H) einer vorgegebenen Grund- zustandsmagnetisierung (MMO) entspricht. M5 Die Biasschicht (6) a) hat in der Schichtebene eine im Meßbereich des Magnet- feldes (H) wenigstens annähernd konstante Magnetisie- rung (MB) und b) ist von der Meßschicht (2) durch eine Zwischenschicht (4) wenigstens annähernd magnetisch austauschentkoppelt. M6 Die Meßkontakte (11A und 11B) a) befinden sich an dem Schichtsystem und b) dienen dem Erfassen eines Widerstandssignals, das ein Maß für das anliegende Magnetfeld (H) ist, - 9 - dadurch gekennzeichnet, c) dass an wenigstens eine Biasschicht (6) über eine Kopp- lungsschicht (8) eine Magnetschicht (10) antiferromagnetisch angekoppelt ist. 4. Der hier zuständige Fachmann ist ein hochqualifizierter mit der Entwicklung von Magnetowiderstands-Sensoren befasster promovierter Festkörperphysiker, der über Jahre hinweg eingehend den Stand der Grundlagenforschung auf dem Ge- biet ferromagnetischer Schichtsysteme verfolgt hat und damit über detaillierte, weit über das Allgemeinwissen eines Festkörperphysikers hinausgehende Kenntnisse auf diesem Spezialgebiet verfügt. 5. Der Patentanspruch 1 ist durch die ursprüngliche Offenbarung gedeckt und er- weitert den Schutzbereich nicht. 6. Die Ausführungen der Klägerin in der mündlichen Verhandlung vermochten den Senat nicht davon zu überzeugen, dass die Patentfähigkeit des Gegenstandes des Patentanspruchs 1 durch den Stand der Technik, den insbesondere die Druckschriften K4, K5, K6, K16, K18 und K21 repräsentieren, in Frage gestellt wäre. Die Druckschrift K5 repräsentiert den nächstliegenden Stand der Technik. Der Magnetowiderstands-Sensor aus K5 besteht aus einem Schichtsystem (Layer 12, 14 bis 16 und 18 in Fig. 2) [M 1, M2a] mit daran befindlichen Messkon- takten (explizit aus Fig. 5 ersichtlich "electrical leads 28, 30") zum Erfassen eines Widerstandssignals, das ein Maß für ein anliegendes Magnetfeld ist [M2a, 6a, b]. Das Schichtsystem enthält eine Messschicht (ferromagnetic layer 12) und auf ei- ner Seite eine Biasschicht (ferromagnetic layer 16) [M3a, b]. Die Magnetisierung in einer Ebene der Messschicht ändert sich reversibel abhängig von einem anliegen- den Magnetfeld h (Pfeile in Schicht 12 der Figuren 1 und 2; Sp. 3 Z. 8-11) und be- - 10 - findet sich bei fehlendem Magnetfeld h in einer vorgegebenen Grundzustands- magnetisierung (Sp. 1 ab Z. 64 The magnetization direction of the first layer of fer- romagnetic material is substantially perpendicular to the magnetization direction of the second layer of ferromagnetic material at zero applied magneticfield" [M4a, b]. Die Biasschicht 16 hat in der Schichtebene eine Magnetisierung (Sp. 3, Z. 3-5 "ad- dition, the second layer of ferromagnetic material 16 is fixed in position as shown by arrow 20"), die im Messbereich notwendigerweise annähernd konstant ist [M5a] und die von der Messschicht 12 durch eine Zwischenschicht (nonmagnetic metal- lic layer 14) entkoppelt ist, wobei beide Schichten magnetisch austausch entkop- pelt sind (Sp. 2, Z. 49, 50 …"two uncoupled ferromagnetic layers"…) [M5b]. Insofern deckt dieser bekannte Magnetowiderstands-Sensor aus K5 zwar alle Merkmale [M 1 bis M6b] des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 ab; das verblei- bende weitere Merkmal [M6c] des kennzeichnenden Teils ist aus K5 jedoch weder bekannt, noch finden sich aus dieser Druckschrift Anregungen dazu, an die (we- nigstens eine) Biasschicht 16 über eine Kopplungsschicht eine Magnetschicht an- tiferromagnetisch anzukoppeln. Dort ist gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Fig. 2 an die Biasschicht 16 eine direkt anliegende Austauschschicht (18) an- gekoppelt (vgl. Sp. 3, Z. 20 bis 25 …"a thin film layer of an exchange biasing ma- terial 18 of high resistance is deposited in direct contact with the second thin film layer of ferromagnetic material 16" …), wobei die Austauschschicht 18 aus ferro- magnetischem oder antiferromagnetischem Material bestehen kann (Sp. 3 Z. 25, 26 "ferromagnetic or antiferromagnetic material"). In K5 ist bereits darauf hinge- wiesen (vgl. Sp. 4, Z. 12 bis 28), dass Sensoren gemäß den Ausführungsbeispie- len der Fig. 1 und 2 für manche Anwendungsfälle nicht geeignet sein könnten. Für eine gegenüber dem Schichtaufbau gemäß Figur 2 verbesserte Austauschkoppe- lung ist daher gemäß Figur 5 ein Schichtaufbau mit einer zusätzlichen dünnen Un- terschicht (underlayer 24) zwischen dem Trägersubstrat 11 und der Messschicht realisiert. Weitere Alternativen zur Verbesserung der Austauschkoppelung, die von dem im K5 vorgesehenen Schichtaufbau mit der direkt (vgl. Sp. 3, Z. 22 … "bia- sing material…in direct contact" …) an der Biasschicht 16 anliegenden Austausch- schicht 18 abweichen würden, sind in K5 weder vorgesehen, noch finden sich da- - 11 - zu auch nur andeutungsweise Hinweise, um abweichend von diesem Schichtauf- bau an die Biasschicht über eine Kopplungsschicht eine Magnetschicht unter Bil- dung eines künstlichen Antiferromagneten antiferromagnetisch anzukoppeln, so wie es beim Patent vorgesehen ist. Insofern vermag sich der Senat der Sichtweise der Klägerinnen nicht anzuschlie- ßen, der folgend, sofern die Sensoranordnungen gemäß den Fig. 1 und 2 nicht zu gewünschten Ergebnissen führen, der Fachmann bei der Ausschau nach anderen Schichtaufbauten zwangsweise zu einem Schichtaufbau geführt zu würde, wie er aus der Druckschrift K4 bekannt ist. Selbst, wenn der Fachmann die aus K4 bekannte Schichtenfolge (vgl. Fig. 1) in seine Überlegungen mit einbezogen und die Schichtenfolge aus K5 dadurch er- setzt hätte, wäre er damit zu keinem funktionsfähigen Magnetowiderstands-Sen- sor gelangt. Die Druckschrift K4 befasst sich auf dem Gebiet der Grundlagenforschung mit Magnetschichtsystemen. Mittels praktischer Versuche an weichen ferromagneti- schen Schichten konnte das bekannte Rudermann-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY)- Modell bestätigt werden, dem folgend die Zwischenschichtaustauschkopplung Y12 zwischen weichen ferromagnetischen Schichten abhängig von der Dicke einer Zwischenschicht (in diesem Falle Ru) zwischen ferromagnetischer und antiferro- magnetischer Kopplung oszilliert (vgl. Fig. 3 auf S. 7133). Für den zugehörigen Messaufbau wurde eine aus Fig. 1 auf S. 7132 verwendete Schichtenfolge vorge- sehen. Bei dieser sind zwei weiche ferromagnetische Schichten F I und F II durch eine Ru-Schicht getrennt, eine der Schichten (F I) wird durch eine zusätzliche magnetische Schicht (Co) auf ihrer Rückseite über eine weitere metallische nicht magnetische Schicht (Ru) stark-antiferromagnetisch gekoppelt, um damit die Kopplungsstärke - sowohl ferromagnetisch als auch antiferromagnetisch - Y12 zwi- schen den Schichten messen zu können (vgl. S. 7132, li. Sp. ab Z. 4 über der Fig. 1 "Consequently, the Ni Co layer, F I, is extremely strongly antiferromagneti- cally coupled to the Co layer"). Dabei ist das magnetische Moment der Co-Schicht - 12 - so eingestellt, dass es der Summe der magnetischen Momente der beiden wei- chen ferromagnetischen Schichten F I und F II entspricht, wie es in der Fig. 1 auch durch die unterschiedlichen Pfeillängen in den einzelnen Schichten angedeutet ist (vgl. dazu S. 7132 unter der Fig. 1 "The moment of the Co layer is equal to the sum of the moments of the two Ni Co layers"). Dieser Schichtaufbau mit seinen auf die Messung zum Nachweis der oszillierenden Zwischenschichtaustausch- kopplung J12 zwischen den weichen ferromagnetischen Schichten F I und F II aus- gerichteten, ganz speziellen magnetischen Momenten wäre, sofern der Fachmann überhaupt in Erwägung gezogen hätte, die direkte Austauschkopplung in K5 (Aus- tauschschicht 18 direkt an die Biasschicht 16 gekoppelt) durch die indirekte anti- ferromagnetische Kopplung aus K4 zu ersetzen, für einen Magnetowiderstands- Sensor ungeeignet, denn die extrem starke antiferromagnetische Kopplung der Schicht F I an die Co-Schicht hat zur Folge, dass nicht nur die Schicht F I extrem stark an die Co-Schicht gekoppelt ist, sondern zudem auch die Schicht F II, was die erforderliche magnetische Austauschkopplung zwischen Biasschicht und MPSS-Schicht in einem Magnetsensor verhindern würde [M5b]. Eine Verbesse- rung der Austauschkopplung im Hinblick auf einen Sensor mit einer eindeutigen li- nearen Kennlinie (vgl. die Aufgabenstellung) wäre damit nicht erzielbar. Zudem würde die extrem starke antiferromagnetische Kopplung der Schicht F I an die Co- Schicht eines Sensors mit seinem auch die Messschicht durchdringenden Magnet- feld in der Messschicht ein Störfeld erzeugen, was mit dem patentierten Magneto- widerstands-Sensor gerade verhindert wird (vgl. die Aufgabenstellung). Somit würde der Einsatz des Schichtaufbaus aus K4 mit seiner speziellen Vorga- be für die magnetischen Momente in einem Magnetowiderstands-Sensor weder zu einer linearen Kennlinie führen, noch ließe sich damit die beabsichtigte Störfeldun- terdrückung in der Messschicht im Hinblick auf die Aufgabenstellung beim Patent erzielen. K4 zeigt daher - Nachweis des RKKY-Modells - in eine andere Richtung; der Fachmann würde sie deshalb bei seinen Überlegungen zum Optimieren eines Magnetowiderstands-Sensor, wie er aus K5 bekannt ist, gar nicht in Betracht zie- hen. - 13 - In Anbetracht der Zielrichtung von K4 in der Grundlagenforschung - Nachweis des RKKY-Modells - offenbart diese Druckschrift keinen Magnetowiderstandssensor. Der Gegenstand des Patentanspruchs 1 ist daher auch gegenüber dieser Druck- schrift, von der Klägerin in der mündlichen Verhandlung ohnehin nicht mehr be- stritten - neu, und bedingt durch die dargelegten Unterschiede findet sich auch kein Hinweis, eine solche Anordnung für einen Magnetowiderstandssensor zu ver- wenden. K4 kann daher - auch für sich betrachtet -, den Gegenstand des Patent- anspruchs 1 in seiner erfinderischen Tätigkeit nicht in Frage stellen. Auch die Druckschrift K6 (Grünberg) zeigt für einen Magnetfeldsensor in Figur 4 einen Schichtaufbau, bei dem eine zusätzliche antiferromagnetische Schicht D di- rekt an die Biasschicht gekoppelt ist. Diese Druckschrift deckt somit, ebenso wie K5 zwar den Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ab, Hinweise zu der im Merk- mal [M6c] angegebenen Maßnahme sind jedoch auch dieser Druckschrift nicht entnehmbar. Ebenso wenig würde die Heranziehung eines Schichtaufbaus gemäß K4 mit den ganz speziellen Dimensionierungen der magnetischen Momente der einzelnen Schichten zu einem funktionsfähigen Magnetfeldsensor im Hinblick auf die Lösung der dem Patent zugrunde liegenden Aufgabe führen. Auch unter Einbeziehung der weiteren Druckschriften K16, K18 und K21 gelangt der Fachmann nach Überzeugung des Senats nicht zum Gegenstand des Patent- anspruchs 1. Diese Druckschriften, in denen ebenso wie auf K4 S. S. P. Parkin als Mitverfasser genannt ist und die allesamt in einem Zeitraum von etwa 2 ½ Jahren vor dem Prio- ritätstag des Patents veröffentlicht wurden, befassen sich mit grundlegenden Stu- dien zum Nachweis des RKKY-Modells. In K21 findet sich auf Seite 2154, li. Sp., Abs. 2, Z. 11 bis 15 zwar der Hinweis, dass für den Messaufbau eine der Magnetschichten direkt an eine antiferromagne- tische Fe-Mn-Schicht austauschgekoppelt sein kann oder auch indirekt über eine ultradünne Ru-Schicht an eine weitere Magnet-Schicht gekoppelt sein kann, ein - 14 - konkreter Hinweis auf die Verwendung in einem Magnetowiderstands-Sensor fin- det sich jedoch nicht. In K16 findet sich zwar auf Bl. 1 unter dem Bild der Hinweis, dass der Magnetowi- derstand beim Auslesen von Daten in Magnetspeicherplatten entscheidend ist ("Magnetoresistance is crucial for applications, … It's the technology of the future for reading information from magnetic disks"), ein Magnetwiderstandssensor als solcher ist explizit aber nicht angegeben, vielmehr ist auf Bl. 2, re. Sp. ganz unten darauf hingewiesen, dass bei noch besserem Verständnis der physikalischen Zu- sammenhänge neue Anwendungen möglich sein werden ("If we understand the physics of the phenomena, we`ll be better able to find the new applications"). Die weiteren Druckschriften liegen dem Patentgegenstand ersichtlich ferner, sie haben dementsprechend in der mündlichen Verhandlung keine Rolle gespielt. Der im Verfahren befindliche Stand der Technik stellt nach alledem die Patentfä- higkeit des Gegenstandes des Patentanspruchs 1 nicht in Frage. Die Unteransprüche werden von der Patentfähigkeit des Patentanspruchs 1 mitge- tragen. III. Die Kostenentscheidung beruht auf § 84 Abs. 2 PatG i. V. m. §§ 91 Abs. 1, 100 Abs. 1 ZPO, die Entscheidung über die vorläufige Vollstreckbarkeit auf § 99 Abs. 1 PatG i. V. m. § 709 ZPO. Winkler Voit Dr. Morawek Bernhart Dr. Müller br/Pü